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IPW50R299CPFKSA1

IPW50R299CPFKSA1

MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
Artikelnummer
IPW50R299CPFKSA1
Hersteller/Marke
Serie
CoolMOS™
Teilestatus
Last Time Buy
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
PG-TO247-3
Verlustleistung (max.)
104W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
550V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1190pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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