Kaufen Infineon Technologies IPU60R1K5CEAKMA2 MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3

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IPU60R1K5CEAKMA2

MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3

Artikelnummer

IPU60R1K5CEAKMA2

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO251

Verlustleistung (max.)

49W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

200pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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