Kaufen Infineon Technologies IPU50R1K4CEBKMA1 MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IPU50R1K4CEBKMA1

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251

Artikelnummer

IPU50R1K4CEBKMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Teilestatus

Last Time Buy

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO251-3

Verlustleistung (max.)

25W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 900mA, 13V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 70µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

178pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

13V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 45399 PCS

Kontaktinformationen