Kaufen Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1 MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

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Datenblätter

IPT60R080G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8

Artikelnummer

IPT60R080G7XTMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ G7

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerSFN

Gerätepaket des Lieferanten

PG-HSOF-8

Verlustleistung (max.)

167W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

29A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 490µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1640pF @ 400V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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