Kaufen Infineon Technologies IPN95R3K7P7ATMA1 MOSFET N-CH 950V 2A SOT223

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Datenblätter

IPN95R3K7P7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 2A SOT223

Artikelnummer

IPN95R3K7P7ATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-223-3

Gerätepaket des Lieferanten

PG-SOT223

Verlustleistung (max.)

6W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

950V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7 Ohm @ 800mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 40µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

196pF @ 400V

Vgs (Max)

±20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

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