Kaufen Infineon Technologies IPD50N03S207ATMA1 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IPD50N03S207ATMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Artikelnummer

IPD50N03S207ATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO252-3

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 85µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2000pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 54679 PCS

Kontaktinformationen