Kaufen Infineon Technologies IPC50N04S55R8ATMA1 MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON

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Datenblätter

IPC50N04S55R8ATMA1

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON

Artikelnummer

IPC50N04S55R8ATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TDSON-8

Verlustleistung (max.)

42W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 13µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1090pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

7V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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