Kaufen Infineon Technologies IPC26N12NX1SA1 MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

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IPC26N12NX1SA1

MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

Artikelnummer

IPC26N12NX1SA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

Die

Gerätepaket des Lieferanten

Sawn on foil

Verlustleistung (max.)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

120V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 244µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

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