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IPC26N12NX1SA1

IPC26N12NX1SA1

MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL
Artikelnummer
IPC26N12NX1SA1
Hersteller/Marke
Serie
OptiMOS™
Teilestatus
Active
Verpackung
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
Die
Gerätepaket des Lieferanten
Sawn on foil
Verlustleistung (max.)
-
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
120V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 244µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
-
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