IPC100N04S51R7ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON
Artikelnummer
IPC100N04S51R7ATMA1
Hersteller/Marke
Serie
OptiMOS™
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerTDFN
Gerätepaket des Lieferanten
PG-TDSON-8
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 60µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
4810pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
7V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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