Kaufen Infineon Technologies IPB50R140CPATMA1 MOSFET N-CH 550V 23A TO-263

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

IPB50R140CPATMA1

MOSFET N-CH 550V 23A TO-263

Artikelnummer

IPB50R140CPATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO263-3-2

Verlustleistung (max.)

192W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

550V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

23A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 930µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2540pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 52863 PCS

Kontaktinformationen