Kaufen Infineon Technologies IPB407N30NATMA1 MOSFET N-CH TO263-3

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IPB407N30NATMA1

MOSFET N-CH TO263-3

Artikelnummer

IPB407N30NATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D²PAK (TO-263AB)

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

300V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

44A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40.7 mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

7180pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 46118 PCS

Kontaktinformationen