Kaufen Infineon Technologies IPB031N08N5ATMA1 MOSFET N-CH 80V TO263-3

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Datenblätter

IPB031N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V TO263-3

Artikelnummer

IPB031N08N5ATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D²PAK (TO-263AB)

Verlustleistung (max.)

167W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 108µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

6240pF @ 40V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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