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IPB010N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 45A TO263-7

Artikelnummer

IPB010N06NATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO263-7

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

45A (Ta), 180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 280µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

208nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

15000pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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