Kaufen Infineon Technologies IPB017N10N5LFATMA1 MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

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Datenblätter

IPB017N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V D2PAK-7

Artikelnummer

IPB017N10N5LFATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™-5

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO263-7

Verlustleistung (max.)

313W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.1V @ 270µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

840pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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