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IPA60R099P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V TO220FP-3

Artikelnummer

IPA60R099P6XKSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3 Full Pack

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO-220-FP

Verlustleistung (max.)

34W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

37.9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99 mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.21mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3330pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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