Kaufen Infineon Technologies BUZ31H3046XKSA1 MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

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BUZ31H3046XKSA1

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

Artikelnummer

BUZ31H3046XKSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TO262-3

Verlustleistung (max.)

95W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

14.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 9A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1120pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

±20V

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