Kaufen Infineon Technologies BUZ30AH3045AATMA1 MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

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Datenblätter

BUZ30AH3045AATMA1

MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

Artikelnummer

BUZ30AH3045AATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D²PAK (TO-263AB)

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1900pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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