Kaufen Infineon Technologies BSZ22DN20NS3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

BSZ22DN20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

Artikelnummer

BSZ22DN20NS3GATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TSDSON-8

Verlustleistung (max.)

34W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

225 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 13µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

430pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 40714 PCS

Kontaktinformationen