Kaufen Infineon Technologies BSS606NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89

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Datenblätter

BSS606NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89

Artikelnummer

BSS606NH6327XTSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-243AA

Gerätepaket des Lieferanten

PG-SOT89

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 15µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

657pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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