Kaufen Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1 MOSFET N-CH 4SOT223

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

BSP88H6327XTSA1

MOSFET N-CH 4SOT223

Artikelnummer

BSP88H6327XTSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-261-4, TO-261AA

Gerätepaket des Lieferanten

PG-SOT223-4

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

240V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

350mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 108µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

95pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.8V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 23060 PCS

Kontaktinformationen