Kaufen Infineon Technologies BSP716NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223

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Datenblätter

BSP716NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223

Artikelnummer

BSP716NH6327XTSA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-261-4, TO-261AA

Gerätepaket des Lieferanten

PG-SOT223-4

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

75V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.8V @ 218µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

13.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

315pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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