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BSO200P03SHXUMA1

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

Artikelnummer

BSO200P03SHXUMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

PG-DSO-8

Verlustleistung (max.)

1.56W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

7.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2330pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±25V

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