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BSG0810NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Artikelnummer

BSG0810NDIATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Leistung max

2.5W

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TISON-8

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

19A, 39A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1040pF @ 12V

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