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BSC009NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8

Artikelnummer

BSC009NE2LSATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

PG-TDSON-8

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 96W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

41A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.9 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5800pF @ 12V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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