Kaufen Infineon Technologies 94-2113 MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

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94-2113

MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK

Artikelnummer

94-2113

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D2PAK

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 180W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

116A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3290pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

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