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64-9146

MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET

Artikelnummer

64-9146

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

DirectFET™ Isometric MT

Gerätepaket des Lieferanten

DIRECTFET™ MT

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

32A (Ta), 180A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

6580pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±12V

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