Kaufen Honeywell Microelectronics & Precision Sensors HTNFET-D MOSFET N-CH 55V 8-DIP

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HTNFET-D

MOSFET N-CH 55V 8-DIP

Artikelnummer

HTNFET-D

Hersteller/Marke

Honeywell Microelectronics & Precision Sensors

Serie

HTMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 225°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

8-CDIP Exposed Pad

Gerätepaket des Lieferanten

8-CDIP-EP

Verlustleistung (max.)

50W (Tj)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

55V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 100mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 100µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

290pF @ 28V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

10V

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