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GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1

SILICON IGBT MODULES
Artikelnummer
GSID100A120T2C1
Serie
Amp+™
Teilestatus
Active
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket/Koffer
Module
Leistung max
640W
Aufbau
Three Phase Inverter
Gerätepaket des Lieferanten
Module
Strom - Kollektor (Ic) (Max)
200A
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)
1200V
Strom – Kollektorabschaltung (max.)
1mA
IGBT-Typ
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 100A
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
13.7nF @ 25V
Eingang
Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor
Yes
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