Kaufen GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247 TRANS SJT 1200V 45A TO247

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GA20SICP12-247

TRANS SJT 1200V 45A TO247

Artikelnummer

GA20SICP12-247

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247AB

Verlustleistung (max.)

282W (Tc)

FET-Typ

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

45A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 20A

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3091pF @ 800V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

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