Kaufen GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

GA10SICP12-263

TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

Artikelnummer

GA10SICP12-263

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Gerätepaket des Lieferanten

D2PAK (7-Lead)

Verlustleistung (max.)

170W (Tc)

FET-Typ

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

25A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 10A

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1403pF @ 800V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 11425 PCS

Kontaktinformationen