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GA100JT17-227

GA100JT17-227

TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Artikelnummer
GA100JT17-227
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Not For New Designs
Verpackung
Tube
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket/Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-227
Verlustleistung (max.)
535W (Tc)
FET-Typ
-
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 100A
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
14400pF @ 800V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
-
Vgs (Max)
-
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