Kaufen GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA TRANS SJT 650V 4A TO-257

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2N7635-GA

TRANS SJT 650V 4A TO-257

Artikelnummer

2N7635-GA

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Bulk

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 225°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-257-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-257

Verlustleistung (max.)

47W (Tc)

FET-Typ

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4A (Tc) (165°C)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

415 mOhm @ 4A

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

324pF @ 35V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

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