Kaufen GeneSiC Semiconductor 1N8035-GA DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

1N8035-GA

DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Artikelnummer

1N8035-GA

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-276AA

Gerätepaket des Lieferanten

TO-276

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

14.6A (DC)

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 15A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

5µA @ 650V

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

-55°C ~ 250°C

Kapazität @ Vr, F

1107pF @ 1V, 1MHz

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 53457 PCS

Kontaktinformationen