Kaufen GeneSiC Semiconductor 1N1200AR DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

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Datenblätter

1N1200AR

DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

Artikelnummer

1N1200AR

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Befestigungsart

Chassis, Stud Mount

Paket/Koffer

DO-203AA, DO-4, Stud

Gerätepaket des Lieferanten

DO-4

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

12A

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 12A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

10µA @ 50V

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

Kapazität @ Vr, F

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