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ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
Artikelnummer
ZXMN6A11DN8TC
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leistung max
1.8W
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOP
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
330pF @ 40V
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