Kaufen Diodes Incorporated ZXMN10A07FTA MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

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Datenblätter

ZXMN10A07FTA

MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Artikelnummer

ZXMN10A07FTA

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23-3

Verlustleistung (max.)

625mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

700mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

138pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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