Kaufen Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TA MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

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Datenblätter

ZXMN3A06DN8TA

MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Artikelnummer

ZXMN3A06DN8TA

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

1.8W

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

796pF @ 25V

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