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ZXMN3A02N8TC
MOSFET N-CH 30V 8SOIC
Artikelnummer
ZXMN3A02N8TC
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-SO
Verlustleistung (max.)
1.56W (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
26.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1400pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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