Kaufen Diodes Incorporated ZXMN10B08E6TA MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

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Datenblätter

ZXMN10B08E6TA

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Artikelnummer

ZXMN10B08E6TA

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-26

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

230 mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

497pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.3V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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