Kaufen Diodes Incorporated DMT6004SCT MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

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DMT6004SCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Artikelnummer

DMT6004SCT

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220-3

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 113W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.65 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

95.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4556pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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