Kaufen Diodes Incorporated DMT2004UFDF-7 MOSFET BVDSS: 8V 24V,U-DFN2020-6

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Datenblätter

DMT2004UFDF-7

MOSFET BVDSS: 8V 24V,U-DFN2020-6

Artikelnummer

DMT2004UFDF-7

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-UDFN Exposed Pad

Gerätepaket des Lieferanten

U-DFN2020-6 (Type F)

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta), 12.5W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

24V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

14.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.45V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

53.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1683pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 10V

Vgs (Max)

±12V

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