Kaufen Diodes Incorporated DMP2003UPS-13 MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8

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Datenblätter

DMP2003UPS-13

MOSFETP-CHAN 20V POWERDI5060-8

Artikelnummer

DMP2003UPS-13

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

PowerDI5060-8

Verlustleistung (max.)

1.4W

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

150A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

177nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

8352pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 10V

Vgs (Max)

±12V

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