Kaufen Diodes Incorporated DMN61D8LVT-13 MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

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Datenblätter

DMN61D8LVT-13

MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Artikelnummer

DMN61D8LVT-13

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Leistung max

820mW

Gerätepaket des Lieferanten

TSOT-26

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 150mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

12.9pF @ 12V

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