Kaufen Diodes Incorporated DMN6013LFG-7 MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

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Datenblätter

DMN6013LFG-7

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8

Artikelnummer

DMN6013LFG-7

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerWDFN

Gerätepaket des Lieferanten

PowerDI3333-8

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

10.3A (Ta), 45A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

55.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2577pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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