Kaufen Diodes Incorporated DMN61D8LQ-7 MOSFET N-CH 60V SOT23

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Datenblätter

DMN61D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V SOT23

Artikelnummer

DMN61D8LQ-7

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23

Verlustleistung (max.)

390mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

470mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 150mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

12.9pF @ 12V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

3V, 5V

Vgs (Max)

±12V

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