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DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7

MOSFET N-CH 60V SOT23
Artikelnummer
DMN61D8LQ-7
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23
Verlustleistung (max.)
390mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
470mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.74nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
12.9pF @ 12V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
3V, 5V
Vgs (Max)
±12V
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