Kaufen Diodes Incorporated DMN6070SSD-13 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

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Datenblätter

DMN6070SSD-13

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO

Artikelnummer

DMN6070SSD-13

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

1.2W

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

588pF @ 30V

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