Kaufen Diodes Incorporated DMN53D0LDW-13 MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

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Datenblätter

DMN53D0LDW-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Artikelnummer

DMN53D0LDW-13

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Leistung max

310mW

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-363

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

360mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

46pF @ 25V

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