Kaufen Diodes Incorporated DMN3135LVT-7 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

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Datenblätter

DMN3135LVT-7

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Artikelnummer

DMN3135LVT-7

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Leistung max

840mW

Gerätepaket des Lieferanten

TSOT-26

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

305pF @ 15V

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