Kaufen Diodes Incorporated DMN3005LK3-13 MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

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Datenblätter

DMN3005LK3-13

MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Artikelnummer

DMN3005LK3-13

Hersteller/Marke

Diodes Incorporated

Serie

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252-3

Verlustleistung (max.)

1.68W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

14.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

46.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4342pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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