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DMN26D0UFB4-7
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
Artikelnummer
DMN26D0UFB4-7
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
3-XFDFN
Gerätepaket des Lieferanten
X2-DFN1006-3
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
14.1pF @ 15V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±10V
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